LONGi HIBC 28.29% বিশ্ব রেকর্ড: LIC, iPET এবং মডিউল লাইনের জন্য এটি কী পরিবর্তন করে
সূচিপত্র
২৪ সেপ্টেম্বর ২০২৬-এ, LONGi একটি হাইব্রিড ইন্টারডিজিটেটেড ব্যাক-কন্টাক্ট (HIBC) সিলিকন সোলার সেল ঘোষণা করেছে যার পরিমাপকৃত রূপান্তর দক্ষতা ২৮.২৯%, যা জার্মানির ইনস্টিটিউট ফর সোলার এনার্জি রিসার্চ হামেলিন (ISFH) দ্বারা স্বাধীনভাবে নিশ্চিত করা হয়েছে। এটি একক-জাংশন ক্রিস্টালাইন সিলিকন সেলের জন্য একটি নতুন বিশ্ব রেকর্ড, এবং ২০২৬ সালে LONGi তৃতীয়বারের মতো সেই সংখ্যা বাড়িয়েছে — বছরের শুরুতে ২৮.০৪% এবং ২৮.১৩%-এর পরে। যে কেউ একটি মডিউল অ্যাসেম্বলি লাইন তৈরি বা পরিকল্পনা করছেন, তার জন্য আকর্ষণীয় অংশটি সংখ্যা নয়। এটি হলো দুটি প্রক্রিয়া ধাপ যা LONGi-কে সেখানে পৌঁছানোর জন্য উদ্ভাবন করতে হয়েছে, কারণ সেই ধাপগুলিই নির্ধারণ করবে HIBC সেলগুলি বড় মাপে উৎপাদনযোগ্য কি না — এবং সেগুলি এলে একটি BC-সক্ষম মডিউল লাইনকে কী সামলাতে হবে।
আসলে কী ঘোষণা করা হয়েছে
| আইটেম | বিবরণ |
|---|---|
| সেলের ধরন | HIBC — হাইব্রিড ইন্টারডিজিটেটেড ব্যাক-কন্টাক্ট, LONGi’-এর তৃতীয় প্রজন্মের BC আর্কিটেকচার |
| রূপান্তর দক্ষতা | 28.29% |
| নিশ্চিত করেছে | ইনস্টিটিউট ফর সোলার এনার্জি রিসার্চ হামেলিন (ISFH), জার্মানি |
| ঘোষণা করা হয়েছে | ২৪ সেপ্টেম্বর ২০২৬, বার্মিংহামে যুক্তরাজ্যের সোলার শো-তে |
| তাত্ত্বিক সীমার তুলনায় অবস্থান | একক-জাংশন ক্রিস্টালাইন সিলিকন সীমার প্রায় ২৯.৪% |
| LONGi’-এর ২০২৬ অগ্রগতি | ২৮.০৪% → ২৮.১৩% → ২৮.২৯% |
দক্ষতার সংখ্যা এবং ISFH নিশ্চিতকরণ স্বাধীনভাবে প্রতিবেদন করেছে pv magazine এবং PV Tech. নিচের প্রক্রিয়া বিবরণ চীনা শিল্প প্রতিবেদন থেকে নেওয়া 新能供应链 এবং এটি আমাদের নিজস্ব পরিমাপের পরিবর্তে সেই প্রতিবেদনের উপর আরোপিত।
এক অনুচ্ছেদে HIBC
ব্যাক-কন্টাক্ট সেল ধনাত্মক ও ঋণাত্মক উভয় ইলেকট্রোডকে পিছনে সরিয়ে নেয়, তাই সামনের পৃষ্ঠকে কিছুই ছায়া দেয় না। TBC সেই সম্পূর্ণ পিছনের প্যাটার্ন জুড়ে একটি TOPCon (উচ্চ-তাপমাত্রার পলিসিলিকন) প্যাসিভেটিং কন্টাক্ট প্রয়োগ করে; HBC পরিবর্তে একটি হেটেরোজাংশন (নিম্ন-তাপমাত্রার অ্যামরফাস সিলিকন) কন্টাক্ট প্রয়োগ করে। HIBC কোনোটিই করে না। এটি পিছনকে ইন্টারডিজিটেটেড N এবং P সংগ্রহ অঞ্চলে বিভক্ত করে এবং প্রতিটি অঞ্চলকে সেই প্যাসিভেশন সিস্টেম দেয় যেখানে এটি সবচেয়ে ভালো: ইলেকট্রন-সংগ্রহকারী N অঞ্চলে উচ্চ-তাপমাত্রার পলিসিলিকন কন্টাক্ট, হোল-সংগ্রহকারী P অঞ্চলে নিম্ন-তাপমাত্রার অ্যামরফাস সিলিকন প্যাসিভেশন। আমরা সম্পূর্ণ সংক্ষিপ্ত রূপ পরিবার এবং প্রক্রিয়া ক্রমে প্রতিটি আর্কিটেকচার কোথায় অবস্থান করে তা আমাদের BC সেল প্রযুক্তি রোডম্যাপ-এ কভার করেছি; এই নিবন্ধটি ২৮.২৯% ফলাফলে কী নতুন তা নিয়ে আলোকপাত করে।
দুটি উদ্ভাবন যা আসলে নতুন
হাইব্রিড ধারণাটি কিছু সময় ধরে আলোচিত হয়েছে। LONGi যা সমাধান করেছে বলে মনে হয় তা হলো দুটি ইঞ্জিনিয়ারিং সমস্যা যা এটিকে কাজ করতে দিচ্ছিল না।
১. LIC — লেজার-ইন্ডিউসড লোকাল ক্রিস্টালাইজেশন
অ্যামরফাস সিলিকন চমৎকারভাবে প্যাসিভেট করে কিন্তু উল্লম্ব দিকে খারাপভাবে পরিবাহিত করে, কারণ এটি একটি পাতলা বিশৃঙ্খল ফিল্ম এবং ক্যারিয়ারগুলিকে ধাতুতে পৌঁছানোর জন্য এটি অতিক্রম করতে হয়। সাধারণ সমাধান হলো একটি স্বচ্ছ পরিবাহী অক্সাইড স্তর, যা খরচ বাড়ায়, শোষণ বাড়ায় এবং নিজস্ব পার্শ্বীয় লিকেজ পথ তৈরি করে।
HIBC-এর উত্তরটি নির্বাচনী: সিলিকনকে ক্রিস্টালাইজ করা শুধুমাত্র যেখানে কন্টাক্টটি আসলে তৈরি হয়। একটি সাব-মাইক্রন লেজার চিকিৎসা কন্টাক্ট পয়েন্টে পিরামিড টিপসকে ন্যানোক্রিস্টালাইন সিলিকনে রূপান্তরিত করে, যা উল্লম্ব কন্টাক্ট রেজিস্ট্যান্স তীব্রভাবে কমায়, অথচ ওয়েফারের বাকি অংশ তার মূল অ্যামরফাস সিলিকন ফিল্ম ধরে রাখে এবং তাই তার প্যাসিভেশন ধরে রাখে। সমালোচনামূলকভাবে, যেহেতু শুধুমাত্র বিচ্ছিন্ন বিন্দুগুলি ক্রিস্টালাইজ করা হয়, সম্পূর্ণ ফিল্ম ক্রিস্টালাইজ করার ফলে যে পার্শ্বীয় লিকেজ পথ তৈরি হতো তা কখনও গঠিত হয় না।
এটি কঠোর স্থানিক নিয়ন্ত্রণসহ একটি লেজার প্রক্রিয়া ধাপ। এটি এমন ধরনের স্টেশন যা তার নিজস্ব প্রক্রিয়া উইন্ডো, নিজস্ব অ্যালাইনমেন্ট টলারেন্স এবং নিজস্ব ইল্ড নিয়ন্ত্রণসহ নির্দিষ্ট করতে হয় — একটি বিকল্প হিসেবে বিদ্যমান টুলে জোড়া লাগানো নয়।
২. iPET — ইন-সিটু এজ প্যাসিভেশন
একটি সম্পূর্ণ সেল আকারে কাটা হয়। কাটা প্রান্তটি ঝুলন্ত বন্ডের একটি দেয়াল এবং একটি রিকম্বিনেশন হটস্পট, এবং একটি ব্যাক-কন্টাক্ট সেলে প্রান্তটি উভয় পোলারিটি অঞ্চলের কাছাকাছি থাকে। HIBC প্রক্রিয়া প্রবাহের সময় ইন-সিটুভাবে প্রান্তে একটি প্যাসিভেশন স্তর গঠন করে, পরে একটি পৃথক মেরামত ধাপ হিসেবে নয়। রিপোর্ট করা লাভ প্রায় ১.৭–৩ mV ওপেন-সার্কিট ভোল্টেজ, সাথে উন্নত যান্ত্রিক প্রান্ত অখণ্ডতা — যা গুরুত্বপূর্ণ কারণ BC সেলগুলি ইতিমধ্যেই বোয়িং এবং ওয়ারপেজ সংবেদনশীলতার জন্য পরিচিত।
আসল বাধা: এক ওয়েফারে দুটি তাপীয় বাজেট
উপরের সবকিছু একই সাবস্ট্রেটে ঘটতে হবে, এবং সেটাই কঠিন অংশ। উচ্চ-তাপমাত্রার ধাপগুলি — যেগুলি পলিসিলিকন কন্টাক্ট গঠন ও সক্রিয় করে — এমন তাপমাত্রায় চলে যা একটি অ্যামরফাস সিলিকন ফিল্ম ধ্বংস করবে। নিম্ন-তাপমাত্রার অ্যামরফাস সিলিকন ডিপোজিশন পরে ঘটতে হবে, অথবা উচ্চ-তাপমাত্রার ধাপগুলি এমনভাবে সাজাতে হবে যাতে তারা কখনও এটিকে স্পর্শ না করে।
সেই ক্রমবিন্যাসের সীমাবদ্ধতা, সেল পদার্থবিদ্যা নয়, যা HIBC উৎপাদন করা কঠিন করে তোলে। রিপোর্ট করা প্রক্রিয়া চ্যালেঞ্জগুলি হলো:
- উচ্চ-তাপমাত্রা / নিম্ন-তাপমাত্রার ধাপের ক্রম এবং তাপীয় বাজেট নিয়ন্ত্রণ
- লেজার লোকাল-ক্রিস্টালাইজেশন ধাপে ইল্ড নিয়ন্ত্রণ
- দুটি প্রক্রিয়া ব্যবস্থাকে একে অপরের ফিল্মের ক্ষতি করা থেকে বিরত রাখা
একটি সংকীর্ণ প্রক্রিয়া উইন্ডো পরীক্ষাগার সমস্যা হওয়ার অনেক আগেই একটি উৎপাদন সমস্যা। রেকর্ড সেল প্রমাণ করে আর্কিটেকচার কাজ করে; এটি প্রমাণ করে না যে উইন্ডোটি একটি গিগাওয়াট ফ্যাবের জন্য যথেষ্ট প্রশস্ত।
মডিউল অ্যাসেম্বলি লাইনের জন্য এর অর্থ কী
এটি সেই অংশ যা সরাসরি আমাদের সম্পর্কিত, এবং এটি স্পষ্টভাবে বলা মূল্যবান: একটি সেল রেকর্ড পরের প্রান্তিকে আপনার মডিউল লাইন পরিবর্তন করে না। সেল ক্ষমতা তৈরি করতে বছর লাগে, এবং HIBC বিদ্যমান সেল ফ্যাবগুলিতে সরাসরি প্রতিস্থাপনযোগ্য পরিবর্তন নয়। কিন্তু এটি আপনাকে বলে দেয় মডিউল লাইনকে কী সামলাতে বলা হবে, এবং ফ্যাক্টরি অ্যাকসেপ্টেন্স টেস্টের সময় তা আবিষ্কার করার চেয়ে এখনই ইন্টারফেসগুলি পরিকল্পনা করা ভালো।
ব্যাক-কন্টাক্ট হ্যান্ডলিং একটি লাইন-স্তরের সক্ষমতা, একটি মেশিন অপশন নয়
BC সেলের সামনের দিকে কোনো বাসবার থাকে না। তাই স্ট্রিংিং, সোল্ডারিং এবং ইন্সপেকশন পিছনের পৃষ্ঠে কাজ করে, যা বদলে দেয়:
- সেল হ্যান্ডলিং এবং ওরিয়েন্টেশন। কাটার এবং ল্যামিনেটরের মধ্যে প্রতিটি স্টেশনকে জানতে হয় কোন দিক উপরে, এবং সামনের পৃষ্ঠে দাগ না ফেলে সেলটি ধরে রাখতে হয়।
- সোল্ডারিং জ্যামিতি। কন্টাক্ট প্যাডগুলো পিছনে থাকে এবং পিচ আরও সূক্ষ্ম। প্লেসমেন্ট নির্ভুলতা এবং তাপমাত্রা প্রোফাইল প্রচলিত 5BB–20BB ফ্রন্ট-সোল্ডারড সেলের চেয়ে বেশি কঠোর।
- ওয়ারপেজ নিয়ন্ত্রণ। একই তাপীয় লোডে BC সেলগুলো ফ্রন্ট-কন্টাক্ট সেলের চেয়ে বেশি বাঁকে, যা স্ট্রিং হ্যান্ডলিং, লেআপ প্লেসমেন্ট এবং ল্যামিনেশনে ছড়িয়ে পড়ে।
- ইন্সপেকশন। BC স্ট্রিংয়ে যে ত্রুটিগুলো গুরুত্বপূর্ণ সেগুলো ভিন্ন, তাই EL এবং VI ইন্সপেকশনকে সামনের গ্রিড বিঘ্নের বদলে সূক্ষ্ম পিছনের দিকের বৈশিষ্ট্য শনাক্ত করতে হয়।
এগুলো সেই স্টেশন যেখানে একটি লাইন হয় BC-প্রস্তুত, নয়তো নয়। আমরা এটির জন্য নির্দিষ্ট সংস্করণ তৈরি করি: SC-20P ব্যাক-কন্টাক্ট সেল লেজার কাটিং প্ল্যাটফর্ম, OSLB-1300 ব্যাক-কন্টাক্ট সেল স্ট্রিংগার, এবং SL-1000 ব্যাক-কন্টাক্ট সেল ওয়েল্ডার. আমরা যে-ই গুরুতর BC প্রোগ্রাম সরবরাহ করেছি, প্রতিটিরই সরঞ্জামের দিক থেকে একই তিনটি জিনিস দরকার হয়েছে: আরও মৃদু হ্যান্ডলিং, আরও নিখুঁত প্লেসমেন্ট, এবং পিছনের পৃষ্ঠের জন্য টিউন করা ইন্সপেকশন।
আপনি যদি সেল নয়, মডিউল কেনেন তবে রেকর্ডটি কেন এখনও গুরুত্বপূর্ণ
তিনটি ব্যবহারিক পরিণতি, যে ক্রমে সেগুলো সম্ভবত একটি উৎপাদন ফ্লোরে পৌঁছাবে:
- আর্কিটেকচারগুলোর মধ্যে দক্ষতার ব্যবধান ক্রমেই বাড়ছে, এবং এটি এখন সেল-স্তরের ব্যবধান। HIBC হলো দুটি প্রসেস পরিবারের সংকর, যার মানে দক্ষতার সীমা একটি একক আর্কিটেকচার পছন্দের বদলে প্রসেস ইন্টিগ্রেশন দ্বারা নির্ধারিত হয়। আশা করুন রোডম্যাপের তর্ক “কোন কাঠামো” থেকে “আপনি আসলে কোন প্রসেস উইন্ডো ধরে রাখতে পারেন”-এ সরে যাবে।
- নতুন সেল ক্যাপাসিটি হবে নতুন নির্মাণ, রিট্রোফিট নয়। LONGi reportedly একটি 500 MW পাইলট লাইনে HIBC যাচাই করেছে এবং বিদ্যমান HPBC লাইন রূপান্তরের বদলে নতুন লাইনের পরিকল্পনা করেছে। উচ্চ-তাপমাত্রার সরঞ্জাম বহাল থাকে; নিম্ন-তাপমাত্রার অ্যামরফাস সিলিকন ডিপোজিশন সরঞ্জাম থাকে না। এটি একটি মূলধন চক্র, এবং এর মানে HIBC মডিউল নতুন ফ্যাবের সময়সীমায় বাজারে পৌঁছাবে।
- মডিউল সরঞ্জাম সংগ্রহ এগিয়ে আনা হবে। যখন একটি সেল লাইন তৈরি হয়, তার পিছনের মডিউল লাইন একই সময়ে নির্দিষ্ট করা হয়। আপনি যদি BC সেল গ্রহণের জন্য ক্যাপাসিটি পরিকল্পনা করেন, তবে স্ট্রিংগার, বাসিং, লেআপ এবং ইন্সপেকশন স্টেশনগুলোই দীর্ঘ-সীসা আইটেম এবং বিলম্বিত আর্কিটেকচার পরিবর্তনের জন্য সবচেয়ে কম সহনশীল।
আমরা কীভাবে এটির কাছে যাব
আপনি যদি একটি BC বা HIBC মডিউল লাইন মূল্যায়ন করেন, সরঞ্জামের স্পেসিফিকেশন নির্ধারণকারী প্রশ্নগুলো শিরোনামের দক্ষতার সংখ্যা নয়। সেগুলো হলো:
- সেল ফরম্যাট এবং বেধ, এবং আগত সেলে আপনি আসলে যে ওয়ার্প মাপেন
- পিছনের কন্টাক্ট প্যাড লেআউট এবং পিচ, এবং সেই লেআউটের প্রয়োজনীয় সোল্ডারিং প্রসেস
- লাইনটিকে একই সরঞ্জামে BC এবং TOPCon চালাতে হবে কি না, এবং কত ঘন ঘন পরিবর্তন হয়
- ইন্সপেকশন স্পেসিফিকেশন কী, অর্থাৎ যে-সবচেয়ে ছোট পিছনের দিকের ত্রুটি ধরতে হবে তার পরিপ্রেক্ষিতে
এই চারটির উত্তর দিন এবং স্টেশনের তালিকা অনুসরণ করবে। Ooitech সম্পূর্ণ মডিউল লাইন তৈরি করে — সম্পূর্ণ স্বয়ংক্রিয় সোলার প্যানেল উৎপাদন লাইন সরঞ্জাম, স্ট্রিংগার, লেআপ, বাসিং, ল্যামিনেটর, ফ্রেমিং এবং টেস্টিং — এবং আমরা BC, IBC এবং HPBC প্রোগ্রামের জন্য BC-সক্ষম কনফিগারেশন সরবরাহ করেছি। আপনি যদি যাচাই করতে চান যে আপনি যে লাইনটি পরিকল্পনা করছেন তা একটি BC সেল ফরম্যাট গ্রহণ করতে পারে কি না, আমাদের সেল ড্রয়িং এবং মডিউল লেআউট পাঠান এবং আমরা আপনাকে বলব কোন স্টেশনগুলো পরিবর্তন করতে হবে।
সচরাচর জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন
28.29% কি মডিউল দক্ষতা নাকি সেল দক্ষতা?
সেল দক্ষতা, একটি পরীক্ষাগার সেলে মাপা এবং ISFH দ্বারা নিশ্চিত। মডিউল দক্ষতা সর্বদা কম, কারণ প্যাকিং ক্ষতি, আন্তঃসংযোগ ক্ষতি এবং ফ্রেম ও বাসবারের দখল করা এলাকা। একটি সেল রেকর্ডকে সরাসরি মডিউল ডেটাশিট সংখ্যায় অনুবাদ করবেন না।
HIBC কি TBC এবং HBC-কে অপ্রচলিত করে তোলে?
তাৎক্ষণিকভাবে নয়। HIBC অন্যদুটির যেকোনোটির চেয়ে তৈরি করা কঠিন, কারণ এটিকে একটি ওয়েফারে দুটি তাপীয় বাজেট ধরে রাখতে হয়। TBC এবং HBC সরল প্রসেস ফ্লো হিসেবেই থাকে। রেকর্ডটি দেখায় সংকর আর্কিটেকচারের সীমা বেশি, এটা নয় যে সরল পথগুলো তাদের খরচের সুবিধা হারিয়েছে।
একটি বিদ্যমান TOPCon বা HPBC মডিউল লাইনকে BC সেল চালানোর জন্য রূপান্তর করা যায় কি?
আংশিকভাবে। যান্ত্রিক হ্যান্ডলিং, লেআপ এবং ল্যামিনেশন স্টেশনগুলো বেশিরভাগই পুনর্ব্যবহারযোগ্য, কিন্তু সেল-মুখী স্টেশনগুলো — কাটিং, স্ট্রিংিং, সোল্ডারিং এবং ইন্সপেকশন — সাধারণত BC-নির্দিষ্ট সংস্করণ প্রয়োজন, কারণ কন্টাক্ট জ্যামিতি এবং হ্যান্ডলিং প্রয়োজনীয়তা ভিন্ন। একটি রূপান্তর অর্থবহ কি না তা নির্ভর করে লাইনের কতটা সেল-মুখী বনাম প্যানেল-মুখী তার উপর।
একটি সেল লাইনে LIC এবং সাধারণ লেজার প্রসেসিংয়ের মধ্যে পার্থক্য কী?
একটি সেল লাইনে সাধারণ লেজার ধাপ কাটে, ডোপ করে বা অ্যাবলেট করে। LIC হলো একটি স্থানীয়কৃত ক্রিস্টালাইজেশন ধাপ: এটি উপাদান সরানো বা যোগ করার বদলে কন্টাক্ট পয়েন্টে সিলিকনের ফেজ পরিবর্তন করে। এটি অ্যালাইনমেন্ট এবং শক্তি নিয়ন্ত্রণকে গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার করে তোলে, এবং এটি পৃষ্ঠের টপোগ্রাফি পরিবর্তন করে এমন যেকোনো আপস্ট্রিম জিনিসের প্রতি ধাপটিকে সংবেদনশীল করে তোলে।
প্রাথমিক সূত্রগুলো কোথায় পড়তে পারি?
দক্ষতার ফলাফল এবং ISFH নিশ্চিতকরণ প্রতিবেদন করেছে pv magazine এবং PV Tech। LIC এবং iPET-এর প্রসেস-স্তরের বর্ণনা এসেছে 新能供应链দ্বারা প্রকাশিত শিল্প প্রতিবেদন থেকে। সেই প্রতিবেদনে আরোপিত পরিসংখ্যান সেখানে প্রকাশিত হিসেবেই; আমরা সেগুলো স্বাধীনভাবে যাচাই করিনি।
