কেন বিসি সেল তৈরি করা কঠিন: AIKO-এর স্ব-মাস্কড দুই-ধাপ প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা করা হয়েছে
সূচিপত্র
একটি ব্যাক-কন্টাক্ট (BC) সৌর সেলের কঠিন অংশটি সামনের দিকে নয়। এটি পিছনের দিকে, যেখানে দুটি বিপরীতভাবে ডোপড প্যাসিভেটিং কন্টাক্টকে একই ওয়েফার জুড়ে পর্যায়ক্রমে থাকতে হয়, এবং যেখানে একটির জন্য উপযুক্ত প্রক্রিয়া শর্ত অন্যটিকে নষ্ট করে দেয়। AIKO’s উত্তর — যাকে কোম্পানি তার স্ব-মাস্কড দুই-ধাপ প্রক্রিয়া বলে এবং চীনা শিল্প কভারেজ যাকে SeparaTech ব্র্যান্ড করে — হলো একই ধাপে উভয় কন্টাক্ট তৈরি করার চেষ্টা বন্ধ করা, এবং যে ডিফিউশন ফিল্মগুলো যেভাবেই তৈরি হয় সেগুলোকেই মাস্কিং করতে দেওয়া। এটি একটি উৎপাদন যুক্তি, উপাদান সংক্রান্ত নয়, এবং ঠিক সেই কারণেই মডিউল দিক থেকে এটি পড়ার মতো।
কঠিনতা পিছনের দিকে
BC উভয় পোলারিটি পিছনে নিয়ে যায়, তাই সামনের দিকে কিছু ছায়া ফেলে না এবং পুনঃসংযোজনের জন্য কোনো সামনের ধাতু–সিলিকন কন্টাক্ট থাকে না। এটাই স্থাপত্যের মূল উদ্দেশ্য, এবং এটাই সমস্যার উৎস: পিছনে এখন P-টাইপ কন্টাক্ট, আইসোলেশন, N-টাইপ কন্টাক্টের একটি ইন্টারডিজিটেটেড প্যাটার্ন বহন করতে হয়, যা ওয়েফার জুড়ে পুনরাবৃত্তি হয়।
একটি প্যাসিভেটিং-কন্টাক্ট BC সেলে, সেই প্রতিটি অঞ্চলে একটি অতি-পাতলা টানেল অক্সাইড, একটি ডোপড পলিসিলিকন স্তর এবং একটি স্থানীয় ধাতু কন্টাক্ট থাকতে পারে। দুটি পোলারিটি একই জিনিস চায় না:
- অক্সাইডের পুরুত্ব। ভালো টানেলিং এবং ভালো প্যাসিভেশন দেয় এমন উইন্ডো বোরন-ডোপড এবং ফসফরাস-ডোপড দিকের জন্য অভিন্ন নয়।
- পলিসিলিকনের পুরুত্ব এবং ডোপিং। N+ এবং P+ পলি-Si-এর সর্বোত্তম ডোপ্যান্ট প্রোফাইল ভিন্ন এবং তাপীয় বাজেটের প্রতি সংবেদনশীলতাও ভিন্ন।
- ডিফিউশন গভীরতা এবং অ্যানিলিং। যে অ্যানিল একটি অঞ্চলকে স্ফটিকীকরণ ও সক্রিয় করে তা অন্যটির ইন্টারফেস অবস্থা বিঘ্নিত করতে পারে।
- ইন্টারফেস ত্রুটি এবং ধাতু কন্টাক্ট। কন্টাক্ট রেজিস্টিভিটি এবং পুনঃসংযোজন দুই দিকে ভিন্নভাবে আচরণ করে।
এটি BC উৎপাদনের কেন্দ্রীয় দ্বন্দ্ব তৈরি করে। ডিভাইসটি প্রতিটি অঞ্চলকে তার নিজস্ব সর্বোত্তম অবস্থায় চায়। একটি প্রচলিত প্রবাহ উভয়ের জন্য এক সেট প্রক্রিয়া শর্ত ব্যবহার করতে চায়, যাতে মাস্ক, প্যাটার্ন, এচ, ক্লিন এবং স্ট্রিপ ধাপের সংখ্যা কম থাকে।
এক ধাপ বনাম দুই ধাপ
AIKO প্রচলিত পদ্ধতিকে এক-ধাপ প্রক্রিয়া হিসেবে চিহ্নিত করে: উভয় পোলারিটির জন্য একসাথে টানেল অক্সাইড এবং পলিসিলিকন স্তর তৈরি করা, তারপর প্যাটার্ন করা। এর বিরুদ্ধে যুক্তি সরল — N+ পলি-Si-এর জন্য সঠিক একটি রেসিপি P+ পলি-Si-এর জন্য অগত্যা সঠিক নয়, এবং P দিক বাঁচাতে অক্সাইডের পুরুত্ব, ডোপিং বা তাপীয় বাজেট সামঞ্জস্য করলে N দিক হারাতে পারেন। শেষ পর্যন্ত যা পান তা হলো উভয়ের মধ্যে একটি আপস।
| পদ্ধতি | P এবং N অঞ্চল কীভাবে পরিচালিত হয় | পরিণতি |
|---|---|---|
| প্রচলিত এক-ধাপ | অক্সাইড গঠন, ডিপোজিশন এবং তাপীয় ধাপ দুটি পোলারিটির মধ্যে মূলত ভাগ করা | কম ধাপ, কিন্তু P/N সীমানা জুড়ে একটি প্রক্রিয়া আপস |
| AIKO দুই-ধাপ (SeparaTech) | প্রথমে P-টাইপ প্যাসিভেটিং কন্টাক্ট তৈরি হয়; তারপর অঞ্চলগুলো নির্ধারিত হয় এবং পরে N-টাইপ প্যাসিভেটিং কন্টাক্ট তৈরি হয় | বেশি প্রক্রিয়া সংগঠন, কিন্তু প্রতিটি অঞ্চল তার নিজস্ব অপ্টিমাইজেশন উইন্ডো পায় |
AIKO’s নিজস্ব বর্ণনায় ফলাফল হলো দুটিকে আলাদা করলে প্রতিটি দিক স্বাধীনভাবে অপ্টিমাইজ করা যায়, যা প্যাসিভেশনের গুণমান এবং তাই দক্ষতা বাড়ায়; কোম্পানি জানায় যে এই প্রক্রিয়া ভর উৎপাদনে 27% এর উপরে ABC সেলের ভিত্তি স্থাপন করেছে। এটি একটি কোম্পানির দাবি, যা স্বাধীন পরীক্ষাগারের বদলে AIKO’s নিজস্ব প্রকাশিত উপাদানে করা হয়েছে, এবং সেভাবেই পড়া উচিত।
ধারাবাহিকভাবে প্রক্রিয়া
চীনা শিল্প কভারেজে প্রচারিত প্রক্রিয়া বর্ণনার উপর ভিত্তি করে, যা AIKO পেটেন্ট টেক্সট এবং পাবলিক উপাদান উদ্ধৃত করে, প্রবাহটি মোটামুটি এভাবে চলে:
- প্রথমে P-টাইপ প্যাসিভেটিং কন্টাক্ট তৈরি করুন — টানেল অক্সাইড, বোরন-ডোপড পলিসিলিকন, P+ অঞ্চল — যেখানে বোরন ডিফিউশনের উপজাত হিসেবে পৃষ্ঠে বোরন সিলিকেট গ্লাস (BSG) তৈরি হয়।
- একটি প্রথম লেজার প্যাটার্নিং ধাপ ব্যবহার করে যে অবস্থানগুলো N অঞ্চল এবং আইসোলেশন অঞ্চল হবে সেগুলো খুলুন।
- সেই খোলা জায়গায় উন্মুক্ত P-টাইপ কাঠামো নির্বাচিতভাবে এচ বা ক্ষারীয়-পলিশ
- করে সরিয়ে ফেলুন। একটিনতুন টানেল অক্সাইড এবং N-টাইপ পলিসিলিকন
- একটি , ফসফরাস-ডোপড, তৈরি করুন, যেখানে পৃষ্ঠে ফসফরাস সিলিকেট গ্লাস (PSG) তৈরি হয়। চূড়ান্ত P, N এবং আইসোলেশন অঞ্চল নির্ধারণ করতে
দ্বিতীয় লেজার ধাপ এবং স্থানীয় অপসারণ
।
গুরুত্বপূর্ণ কাঠামোটি হলো এটি কোনো নতুন উপাদান নয়। এটি একই স্তরের সেট, যা সময় ও স্থানে পুনর্বিন্যস্ত এবং তারপর প্যাটার্নিং দ্বারা পুনঃসংহত। দাবিটি রসায়ন নয়, ক্রম এবং নিয়ন্ত্রণ সম্পর্কে।
ডিফিউশন ফিল্মগুলোই মাস্ক
এটি সেই অংশ যা খরচের যুক্তির বেশিরভাগ বহন করে। BSG এবং PSG বিদেশি স্তর নয় — বোরন এবং ফসফরাস ডিফিউশনের সময় এগুলো স্বাভাবিকভাবেই তৈরি হয়। প্রচলিত প্রবাহে এগুলোকে অপসারণযোগ্য অবশিষ্টাংশ হিসেবে বিবেচনা করা হয়। দুই-ধাপ পথ এগুলো রেখে দেয় এবং পরবর্তী প্যাটার্নিং ও নির্বাচিত এচের জন্য স্ব-সংগঠিত মাস্ক হিসেবে ব্যবহার করে।
AIKO’s বর্ণিত সুবিধা হলো এটি বাহ্যিক মাস্কিং এবং পরিষ্কারের প্রয়োজন দূর করে, দূষণের ঝুঁকি ও উপাদান খরচ কমায়, এবং সামগ্রিক প্রক্রিয়া জটিলতাকে এক-ধাপ প্রবাহের তুলনায় সমতুল্য রাখে। কোম্পানি তাপীয় ক্ষেত্র সিমুলেশনের মাধ্যমে উচ্চ-তাপমাত্রার তাপীয় পরিবেশ পুনর্গঠনের কথাও বর্ণনা করে, যাতে ল্যামিনার প্রবাহ বনাম প্যাসিভেশন কাইনেটিক্সের ভারসাম্য রাখা যায়, বিক্রিয়া চেম্বারের ভিতরে তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ প্লাস বা মাইনাস 0.5 °C এর মধ্যে রাখা হয়, সাথে ফিল্মগুলো কম-স্ট্রেস এবং অভিন্ন রাখতে একটি স্ট্রেস-ব্যালান্সিং সিস্টেম।
একবার P এবং N অঞ্চলগুলি পৃথক পাসে গঠিত হলে, কোনটি কোথায় বসবে তা নির্ধারণ করতে হবে। এটিই লেজার প্যাটার্নিং ধাপ, এবং এর সহনশীলতা অপটিক্সের বদলে জ্যামিতি দ্বারা নির্ধারিত হয়:
- স্পেসিং খুব বেশি — আপনি কার্যকর উৎপাদন এলাকা হারান।
- স্পেসিং খুব সংকীর্ণ — যেকোনো ভুল বিন্যাস বা পার্শ্বীয় বিস্তার শর্ট-সার্কিটের ঝুঁকিতে পরিণত হয়, এবং আইসোলেশন অঞ্চলের নিজের কাজ করার জন্য কম জায়গা থাকে।
অঞ্চলের আকার, প্রান্তের গুণমান এবং আইসোলেশন প্রস্থ একই সাথে সিরিজ রেজিস্ট্যান্স, রিকম্বিনেশন, লিকেজ এবং ইল্ডে প্রভাব ফেলে। লিথোগ্রাফি সহনশীলতা ধরে রাখতে পারত, কিন্তু এর খরচ, ট্যাক্ট এবং ক্লিনরুমের প্রয়োজনীয়তা 10 GW বা 20 GW ফটোভোলটাইক লাইনের সাথে খাপ খায় না। লেজার উচ্চ-গতির স্ক্যানিং, ডিজিটাল নিয়ন্ত্রণ এবং রেজিস্ট-মুক্ত প্রক্রিয়া নিয়ে আসে, আবার নিজের সমস্যাও নিয়ে আসে: তাপীয় ক্ষতি, প্রান্ত ক্ষয়, ফিল্মের অবশিষ্টাংশ এবং বৃহৎ এলাকায় অভিন্নতা।
AIKO’s 2026 অর্ধবার্ষিক প্রতিবেদনে reportedly দুই-ধাপ প্রক্রিয়ার পাশাপাশি আল্ট্রাফাস্ট লেজার প্যাটার্নিংকে একটি মূল ABC প্রক্রিয়া হিসেবে তালিকাভুক্ত করা হয়েছে, যা প্রকৌশল প্রচেষ্টা কোথায় নিবদ্ধ তা যথাযথভাবে ইঙ্গিত করে।
দুই-ধাপ প্রক্রিয়া যা ঠিক করে না
এমনকি অঞ্চলগুলি পৃথক পাসে গঠিত হলেও, সেগুলি এখনও একই ওয়েফারে থাকে। দ্বিতীয় উচ্চ-তাপমাত্রার ধাপ প্রথমটি যা তৈরি করেছে তা প্রভাবিত করতে পারে:
- প্রথম পলিসিলিকন স্তরের ক্রিস্টালাইজেশন অবস্থা এবং ডোপ্যান্ট বিতরণ
- ইতিমধ্যে গঠিত টানেল অক্সাইড
- ইন্টারফেস হাইড্রোজেন প্যাসিভেশন
- বোরন এবং ফসফরাস সিস্টেমের মধ্যে ক্রস-কনটামিনেশন
- আইসোলেশন অঞ্চলে রিকম্বিনেশন, প্যাটার্ন বিন্যাস, এবং দ্বিতীয় তাপীয় বাজেটের অধীনে পার্শ্বীয় বিস্তার
তাই সঠিক বর্ণনা এই নয় যে দুটি অঞ্চল স্বাধীন হয়ে যায়। বরং প্রক্রিয়ার ক্রম পুনরায় ডিজাইন করা হয় যাতে যতটা সম্ভব তাদের আলাদা করা যায়, প্রতিটির স্বাধীন অপ্টিমাইজেশন উইন্ডো প্রশস্ত করে। “স্বাধীনভাবে অপ্টিমাইজ করা” কন্টাক্ট সম্পর্কে কোনো দাবি পড়ার সময় এই পার্থক্যটি গুরুত্বপূর্ণ।
যে সংখ্যাটি আসলে সিদ্ধান্ত নেয়
এই নিবন্ধটিকে একটি কোম্পানির বাইরে কাজে লাগানোর কাঠামোটি হল অর্থনীতি। BC শিল্পায়ন শুধুমাত্র সেল দক্ষতা দ্বারা নির্ধারিত হয় না। যে সংখ্যাটি গুরুত্বপূর্ণ তা হল:
দক্ষতা লাভ × ইল্ড ÷ উৎপাদন খরচ
প্রতিটি অতিরিক্ত প্যাটার্নিং, এচ, ক্লিন বা অ্যালাইনমেন্ট ধাপ তিনটি পদকেই প্রভাবিত করে। এটি মূলধন এবং পরিচালন ব্যয় যোগ করে, ট্যাক্ট খরচ করে, এবং ভাঙনের আরেকটি সুযোগ তৈরি করে। এজন্যই প্রক্রিয়ার দিক থেকে পর্যবেক্ষণটি পুনরাবৃত্তির যোগ্য: গিগাওয়াট স্কেলে, একটি মাস্ক বা একটি ক্লিন ধাপ সরানো পরীক্ষাগারের আরেকটি 0.05% দক্ষতার চেয়ে বেশি মূল্যবান হতে পারে। প্রয়োজনীয়তা একটি রেকর্ড সেল নয় — বরং দিনে লক্ষাধিক ওয়েফার যেখানে P/N প্যাটার্ন এখনও সারিবদ্ধ।
মডিউল লাইনে যা পৌঁছায়
এখানেই এটি আমাদের জন্য প্রযোজ্য, এবং BC-কে শুধুমাত্র একটি সেল প্রযুক্তি হিসেবে আলোচনা করলে এই বিষয়টি হারিয়ে যায়।
BC একটি ডিভাইস আর্কিটেকচার, কোনো একক প্রক্রিয়া পথ নয়। HPBC, ABC, N-টাইপ প্যাসিভেটিং-কন্টাক্ট BC এবং GPC সামনের দিক থেকে একই রকম দেখায় — সামনে কোনো ইলেকট্রোড নেই, ক্যারিয়ার পিছনে সংগ্রহ করা হয় — কিন্তু ভিতরে তারা ক্যারিয়ার-সিলেক্টিভ কন্টাক্ট, P এবং N অঞ্চল কীভাবে গঠিত হয়, কীভাবে প্যাটার্ন করা হয়, আইসোলেশন স্ট্রাকচার, মেটালাইজেশন, এবং প্রবাহটি বিদ্যমান TOPCon লাইন পুনরায় ব্যবহার করতে পারে কিনা তা নিয়ে ভিন্ন হতে পারে। আমরা এর নামকরণের দিকটি Is BC just one technology? এবং কাঠামোগত দিকটি BC technology roadmap.
-এ আলোচনা করেছি।
- একটি মডিউল লাইনের জন্য, পরিণতি সুনির্দিষ্ট: সামনের দিক থেকে অভিন্ন দেখতে পাওয়া সেলগুলি পরিচালনার ক্ষেত্রে অভিন্ন নয়।
- পিছনের কন্টাক্ট লেআউট এবং পিচ BC ভ্যারিয়েন্টের মধ্যে ভিন্ন, এবং এটি সোল্ডারিং প্রক্রিয়া, স্থাপন সহনশীলতা এবং পরিদর্শন রেসিপি নির্ধারণ করে। প্রক্রিয়ার পরিবর্তন মডিউল লাইনের উজানে ঘটছে কিন্তু যান্ত্রিক পরিণতি তার উপরেই পড়ে। আরও সংকীর্ণ পিছনের প্যাটার্ন মানে আরও সংকীর্ণ স্থাপন উইন্ডো; আরও পাতলা বা বেশি চাপযুক্ত সেল মানে কাটার এবং ল্যামিনেটরের মধ্যে বেশি হ্যান্ডলিং ক্ষতি। BC বোয়িং এবং ওয়ারপেজ মডিউল দিকে ইতিমধ্যে একটি পরিচিত সমস্যা, এবং আমরা লিখেছি এবং why BC cells bow more.
- why BC strings warp ব্যাক-এন্ড মেটালাইজেশন পথ ইন্টারকানেকশন সম্পূর্ণভাবে পরিবর্তন করে। খরচের সমস্যা পিছনের ইলেকট্রোডে চলে যায়, এজন্যই ফ্রন্ট-এন্ড প্রক্রিয়ার সাথে সাথে কম-রূপা এবং তামা-ভিত্তিক মেটালাইজেশন এবং জিরো-বাসবার ডিজাইন চালু করা হচ্ছে। silver-free debate এবং insulating glue on the rear
- -এর প্রয়োজনীয়তা উভয়ই স্ট্রিংগারে পৌঁছায়, ফার্নেসে নয়। একই অর্থনীতির নিয়ম ডাউনস্ট্রিমেও প্রযোজ্য।
একটি BC-প্রস্তুত স্ট্রিংগার কেনা একটি মডিউল লাইন সেল নির্মাতার মতোই একই হিসাব করছে: সক্ষমতা লাভ × ইল্ড ÷ খরচ। যে মেশিন একটি প্রক্রিয়া যোগ করে কিন্তু ইল্ড খরচ করে, সে সাহায্য করেনি। সেল-সাইড প্রক্রিয়া উদ্ভাবন আমাদের জন্য যা পরিবর্তন করে তা কোনো নতুন মেশিন শ্রেণি নয়। এটি বিদ্যমান স্টেশনগুলির স্পেসিফিকেশন —, OSLB-1300 ব্যাক-কন্টাক্ট সেল স্ট্রিংগার এবং SC-20P back-contact laser cutting platform SL-1000 back-contact welder
AIKO ABC back contact cell two step process flow dividing P type and N type passivating contact formation
| সময়রেখা এবং প্রকাশিত সংখ্যা | রেফারেন্স |
|---|---|
| মাইলফলক | N-টাইপ অল ব্যাক কন্টাক্ট (ABC) উদ্ভাবিত |
| AIKO প্রযুক্তি সময়রেখা, 2019 | ABC সেল দক্ষতা 26.5% ছুঁয়েছে |
| 2023 ব্যাক কন্টাক্ট ওয়ার্কশপে AIKO উপস্থাপনা | ঝুহাই প্রথম-পর্যায় 6.5 GW ABC সেল লাইন উৎপাদনে |
| চীনা শিল্প কভারেজে প্রতিবেদিত, 2022 | স্ব-মাস্কড দুই-ধাপ প্রক্রিয়া বাণিজ্যিকীকৃত হিসেবে প্রকাশ্যে বর্ণিত |
| AIKO প্রকাশিত উপাদান এবং PV Tech শিল্প আপডেট, জুলাই 2025 | 27% এর উপরে ABC সেল ভর-উৎপাদনের ভিত্তি হিসেবে উল্লিখিত |
| AIKO প্রকাশিত উপাদান, জুলাই 2025 (কোম্পানির দাবি) | AIKO 2026 অর্ধ-বার্ষিক প্রতিবেদন, চীনা শিল্প কভারেজে উদ্ধৃত অনুযায়ী |
| G4 ফুল-স্ক্রিন Ultra মডিউল 26% সর্বোচ্চ দক্ষতায় উল্লেখ করা হয়েছে, স্ট্যান্ডার্ড ফরম্যাটে প্রায় 690 W পর্যন্ত | AIKO 2026 পণ্য ঘোষণা (লঞ্চ স্পেসিফিকেশন) |
সূত্র কভারেজ যে একটি সতর্কতা ভালোভাবে তুলে ধরে এবং যা ধরে রাখা মূল্যবান: একটি পণ্য লঞ্চের পরিসংখ্যান এবং একটি তৃতীয় পক্ষের বাণিজ্যিক র্যাঙ্কিং একই পরিমাপ নয়। সেপ্টেম্বর 2026 পর্যন্ত, তৃতীয় পক্ষের বাণিজ্যিক মডিউল র্যাঙ্কিং AIKO’র তালিকাভুক্ত পণ্যগুলিকে 25.0% সর্বোচ্চ দক্ষতায় স্থান দেয়, LONGi-এর সাথে যৌথভাবে প্রথম। 26% এর একটি লঞ্চ স্পেসিফিকেশন এবং 25.0% এর একটি বাণিজ্যিক তালিকা একই পণ্যের বিভিন্ন পর্যায় বর্ণনা করে, এবং সেগুলোকে একই সংখ্যা হিসেবে তুলনা করা একটি ভুল।
সচরাচর জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন
দুই-ধাপ প্রক্রিয়া কি একটি নতুন উপাদান নাকি একটি নতুন প্রক্রিয়া?
একটি নতুন প্রক্রিয়া। স্তরগুলি একই পরিবারের — টানেল অক্সাইড, ডোপড পলিসিলিকন, ধাতব সংযোগ। যা পরিবর্তিত হয় তা হল P এবং N দিকগুলি যে ক্রমে গঠিত হয় এবং পরবর্তীতে অঞ্চলগুলি কীভাবে সংজ্ঞায়িত করা হয়।
কেন দুটি অঞ্চলকে কেবল এক পাসে অপ্টিমাইজ করা যায় না?
কারণ কয়েকটি মূল প্যারামিটার ভাগ করা হয়। অক্সাইডের পুরুত্ব, ডিপোজিশন শর্ত এবং তাপীয় বাজেট প্রত্যেকে একসাথে উভয় সংযোগের গুণমান নির্ধারণ করে, এবং বোরন-ডোপড পলি-Si এর জন্য সর্বোত্তমটি ফসফরাস-ডোপড পলি-Si এর জন্য সর্বোত্তম নয়। এক পাস মানে ওয়েফারের কোথাও একটি আপস।
স্ব-মাস্কড বলতে কী বোঝায়?
বোরন এবং ফসফরাস ডিফিউশন ধাপগুলি একটি স্বাভাবিক উপজাত হিসেবে পৃষ্ঠে BSG এবং PSG রেখে যায়। সেগুলি সরানোর পরিবর্তে, প্রক্রিয়াটি সেগুলি রাখে এবং পরবর্তী প্যাটার্নিং এবং নির্বাচনী এচের জন্য মাস্ক হিসেবে ব্যবহার করে, যা কয়েকটি বাহ্যিক মাস্ক, কোট, এক্সপোজ, স্ট্রিপ এবং ক্লিন ধাপ দূর করে।
এটি কি BC খরচ সম্পূর্ণভাবে সমাধান করে?
না। এটি ফ্রন্ট-এন্ড ডিভাইস উৎপাদন সম্বোধন করে। পিছনের ইলেকট্রোডের খরচ একটি পৃথক সমস্যা, যার কারণে কম-রূপা এবং তামা-ভিত্তিক মেটালাইজেশন এবং জিরো-বাসবার ইন্টারকানেকশন সমান্তরালভাবে বিকশিত হচ্ছে। একটি অত্যন্ত দক্ষ সেল যা সংযোগ করতে এখনও প্রচুর পরিমাণে রূপার পেস্ট প্রয়োজন, তা এখনও অর্থনৈতিকভাবে সম্পূর্ণ উত্তর নয়।
একটি উন্নত সেল প্রক্রিয়া কি মডিউল লাইনকে সহজ করে?
স্বয়ংক্রিয়ভাবে নয়। এটি আরও কঠিন করতে পারে। একটি সংকীর্ণ পিছনের প্যাটার্ন স্থাপনের প্রয়োজনীয়তা বাড়ায়, এবং সেলের চাপ বা পুরুত্বের যেকোনো পরিবর্তন সমাবেশ লাইনে হ্যান্ডলিং ক্ষতি এবং ভাঙন হিসেবে প্রকাশ পায়। সেল-সাইড লাভ এবং মডিউল-সাইড খরচ একসাথে বিবেচনা করতে হবে।
এই নিবন্ধের তথ্য কোথা থেকে আসে?
তিনটি জায়গা, এবং সেগুলি ভিন্ন ওজন বহন করে। প্রক্রিয়ার বর্ণনা, SeparaTech নাম, পেটেন্ট গণনা এবং দক্ষতা-গুণ-ফলন কাঠামো চীনা শিল্প নিবন্ধ থেকে আসে যা প্রকাশ করেছে 新能供应链, যা AIKO পেটেন্ট টেক্সট, 2026 অর্ধ-বার্ষিক প্রতিবেদন এবং পাবলিক কোম্পানির উপকরণ উদ্ধৃত করে। ইংরেজি প্রক্রিয়ার বর্ণনা এবং 27% এর উপরে দক্ষতার দাবিগুলি আসে AIKO’র নিজস্ব প্রকাশিত উপকরণথেকে, যা একটি শিল্প আপডেট হিসেবে পুনঃপ্রকাশিত PV Tech — এটি কোম্পানি-লিখিত বিষয়বস্তু এবং আমরা এটিকে একটি স্বাধীন ফলাফলের পরিবর্তে একটি দাবি হিসেবে লেবেল করেছি। ABC দক্ষতা এবং সময়রেখার পরিসংখ্যান AIKO’র 2023 Back Contact Workshop-এ উপস্থাপনা থেকে আসে। এই নিবন্ধের কিছুই আমাদের নিজস্ব BC সেল বা AIKO’র প্রক্রিয়ার পরিমাপের উপর ভিত্তি করে নয়।
